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一、含硅廢水中二氧化硅（硅）造成膜污堵原因包括：

結垢形成： 二氧化硅在水中可以形成硅酸鹽，特別是在高硅含量的水源中。當水通過(guò)膜過(guò)濾時(shí)，硅酸鹽可能會(huì )沉積在膜表面或孔隙中，逐漸形成結垢。這些沉積物會(huì )導致膜的有效孔徑減小，降低水通量，最終造成膜的污堵。

結晶形成：在一些情況下，硅可以以晶體形式沉積在膜表面上。這些硅晶體會(huì )形成物理性的屏障，阻礙水的透過(guò)，并促進(jìn)其他污染物質(zhì)的附著(zhù)和沉積，加劇膜的污堵。

氧化還原作用：硅可以參與氧化還原反應，特別是在存在氧氣和其他氧化劑的情況下。這些氧化還原反應可能導致硅在膜表面形成氧化物或水合物，進(jìn)一步增加膜的污染和降低水通量。

反應活性：二氧化硅本身具有一定的化學(xué)反應活性，它可以與水中的其他成分發(fā)生化學(xué)反應，形成新的化合物。這些新化合物可能會(huì )附著(zhù)在膜表面上，導致膜污堵。

二、工業(yè)廢水處理中主要除硅方法

工業(yè)廢水處理中除去硅的方法取決于硅的形態(tài)、濃度以及廢水的性質(zhì)。以下是一些常見(jiàn)的除去硅的方法：

沉淀法：沉淀法是通過(guò)加入適當的沉淀劑，使硅以固體沉淀的形式從廢水中去除。常用的沉淀劑包括氫氧化金屬、氫氧化鈣等。

過(guò)濾法：過(guò)濾法是將廢水通過(guò)過(guò)濾介質(zhì)，如砂濾或活性炭，去除懸浮的硅顆粒。

離子交換法： 離子交換樹(shù)脂可以用來(lái)去除廢水中的硅離子。硅離子在離子交換樹(shù)脂上被吸附，從而使廢水中的硅濃度降低。

生物處理法：生物處理過(guò)程中的生物活性污泥可能會(huì )吸附和降解廢水中的一些有機硅化合物。

三、蘇州無(wú)為環(huán)境科技有限公司的電絮凝技術(shù)對含二氧化硅及其他含硅廢水均具有很好的除硅作用，其主要原理：

電解過(guò)程：在金屬極板電絮凝技術(shù)中，通過(guò)施加電流，在陽(yáng)極產(chǎn)生氧氣，而在陰極產(chǎn)生氫氣。這種電解過(guò)程使廢水中的硅離子和其他溶解物質(zhì)發(fā)生電化學(xué)反應，促使其聚集成為顆粒，并沉積到廢水底部。

氣泡形成：在電解過(guò)程中，產(chǎn)生的氣泡可以提供表面活性，促進(jìn)顆粒的聚集和沉降。氣泡的存在增加了廢水中的氣-液界面，促進(jìn)了絮凝物質(zhì)的聚集和沉淀。

金屬離子的釋放：在金屬極板電絮凝過(guò)程中，金屬極板會(huì )釋放出金屬離子，這些金屬離子可以與廢水中的硅離子和其他顆粒物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應，形成不溶性的沉淀物。這些沉淀物質(zhì)會(huì )與廢水中的硅結合，并一同沉淀下來(lái)。

pH值控制：硅在不同的pH條件下存在不同的形態(tài)，例如在較低的pH條件下，硅以硅酸鹽的形式存在，而在較高的pH條件下，硅以多聚硅酸鹽的形式存在。通過(guò)調節電絮凝系統的pH值，可以?xún)?yōu)化硅的去除效果。

電流密度和時(shí)間：電絮凝過(guò)程中的電流密度和處理時(shí)間也會(huì )影響硅的去除效果。合適的電流密度和處理時(shí)間可以提高絮凝效率和去除效果。

水質(zhì)特性：廢水的水質(zhì)特性也會(huì )影響電絮凝的效果，例如廢水中的其他成分和溶解物質(zhì)可能會(huì )影響絮凝劑的作用效果。

絮凝劑的作用：通常在金屬極板電絮凝過(guò)程中，也會(huì )添加絮凝劑來(lái)促進(jìn)顆粒的聚集和沉淀。絮凝劑能夠改變廢水中顆粒的表面電荷特性，使其更易于相互吸引并聚集成較大的絮凝體。

蘇州無(wú)為環(huán)境科技有限公司專(zhuān)注電絮凝技術(shù)多年，在工業(yè)廢水處理技術(shù)中的除硅、破乳、脫色、膠體脫穩等技術(shù)領(lǐng)域均能發(fā)揮出優(yōu)異效果。

綜上所述，電絮凝技術(shù)通過(guò)電解過(guò)程、氣泡的形成、金屬離子的釋放以及絮凝劑的作用等多種機制相結合，促使水中的硅離子和顆粒物質(zhì)聚集沉淀，從而實(shí)現硅的有效去除。這種技術(shù)對于處理含硅廢水具有較好的效果，并在工業(yè)廢水處理中得到廣泛應用。